英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案，适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。在更高时钟速率下使用时，器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存，同时显著减少引脚数。这款器件的抗辐射性能高达30 krad（Si）偏置和125 krad（Si）无偏置。在125°C时，这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期，数据保留期限为30年，在85°C时可达到1万次编程/擦除周期，数据保留期限为250年。
作为航天级存储器产品的领导者，英飞凌利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。512 Mb器件包括两个独立的256 Mb裸片，它们采用单个封装解决方案并排装配。这样，设计人员可以灵活地在任一裸片上以双QSPI或单QSPI模式独立运行器件，从而为其提供使用第二个裸片作为备份解决方案的选项。英飞凌正与赛灵思等领先的FPGA生态系统公司就航天级应用展开密切合作。
Infineon Technologies LLC航空航天与国防业务副总裁Helmut Puchner表示：“我们的抗辐射双QSPI非易失性存储器获得最新航天级FPGA的全面支持。它们可以带来出色的低引脚数单芯片解决方案来配置处理器和FPGA。譬如，Xilinx Kintex? UltraScale? XQRKU060的整个图像可以在Dual Quad模式下在大约 0.2 秒内加载。”
供货情况
RadTol NOR闪存器件采用24x12 mm2 36引脚陶瓷扁平封装, 可通过FPGA或通过独立编程器进行编程。这款器件支持-55°C至125°C的温度等级，SEU率 < 1 x 10-16次翻转/位-天，SEL > 60 MeV.cm2/mg（85°C），SEFI > 60 MeV.cm2/mg（LET），SEU阈值> 28 Mev.cm2/mg（LET）。
