1、BJT双极型：NPN型、PNP型
2、单极型：MOSFET、JFET。
增强型MOSFET(N沟道、P沟道)
耗尽型MOSFET(N沟道、P沟道)
耗尽型JFET(N沟道、P沟道)
整理如下：
晶体管分类
由于篇幅有限，因此本文后续主要讲 NPN BJT。
主要参数
1、电流放大系数：表征管子放大作用的主要参数。
● 共射电流放大系数β
● 共射直流电流放大系数
● 共基电流放大系数
● 共基直流电流放大系数
2、反向饱和电流
a、集电极与基极之间的反向饱和电流 Icbo；表示当发射极e开路时，集电极c与基极b之间的反向电流；
b、集电极与发射极之间的穿透电流Iceo；表示当基极b开路时，集电极c与发射极e之间的电流。
3、极限参数
a、集电极最大允许电流Icm；
b、集电极最大允许耗散功率Pcm；
c、极间反向击穿电压：
● U(BR)ceo：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压；
● U(BR)cbo：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。
NPN BJT基本性质
1、电流关系
Ib+Ic=Ie
Ic=β*Ib
2、过程分析
相信每个人都有过输液打吊水的经历，那么我们可以将Ib、Ic、Uce三者分别想象成输液流量调节开关、输液速度、瓶内输液剩余量(等效液压)。（形象理解，自创勿喷）
a、当输液流量调节开关一定时，瓶内输液剩余量越多(等效液压越大)，那么输液速度越快，对应的在三极管开通状态下，Ib一定时，Uce越大，对应的Ic越大；
b、当瓶内输液剩余量一定时(等效液压一定时)，输液流量调节开关开的越大，那么输液速度越快，对应的在三极管开通状态下，Uce一定时，Ib越大，对应的Ic越大；
c、当输液流量调节开关开的非常小(近乎关闭时)，无论此时瓶内输液剩余量有多少，输液速度变化不明显，对应在三极管Ib几乎等于0，即近乎关闭状态，Ic不随Uce增大而增大，即此时三极管处于截止状态；
d、当输液流量调节开关开的适中时，此时稍微改变改变一下输出流量控制开关，输液速度就会有一个明显变化，对应在三极管Ib有一个微小的变化量△ib时，相应的集电极也有一个较大的变化量△ic，即此时三极管处于放大状态；
e、我们假设输液流量调节开关可以无限增大，那么会存在一个输液过程中会有这样一个状态，即当输液流量调节开关增大至输液速度刚好不再增加时，这种临界状态对应于三极管的临界饱和状态，此时若继续增加输液流量开关的大小，那么将进入输液速度的饱和区域，即对应于三极管的饱和状态。
3、输入特性曲线
输入特性曲线：当Uce不变时，三极管输入回路中的电流Ib与电压Ube之间的关系曲线，Ib=f(Ube)|Uce=常数。当Uce增大时，输入特性曲线会往右移，但是Uce大于某一数值后，不同Uce的各条输入特性曲线几乎重叠在一起。
4、输出特性曲线
输出特性曲线：当Ib不变时，三极管输出回路中的电流Ic与电压Uce之间的关系曲线，Ic=f(Uce)|Ib=常数。
a、截止区
Ib≤0；
Ic≈0，存在Iceo；
发射结，集电结反偏，Ube<0，Ubc<0；
b、放大区
放大区内，各条输出特性曲线近似为水平直线，表示当Ib一定时，Ic的值基本不随Uce而变化，但是，当基极电流有一个微小的变化量△ib时，集电极电流将产生较大变化△ic；
发射结正偏，集电结反偏，Ube>0，Ubc<0；
β=△ic/△ib；
c、饱和区
集电极电流Ic基本不随基极电流Ib而变化；
三极管压降很小，一般有Uce<Ube；
发射结，集电结都正偏，Ube>0，Ubc>0；
β>Ic/Ib；
d、倒置状态
集电极和发射极接反的情况；
一般不会烧掉，但是β会下降严重；
发射结反偏，集电结正偏；
三种组态
放大电路三种组态如下。
a、共射组态：基极输入，集电极输出。
共射组态
b、共基组态：射极输入，集电极输出。
共基组态
c、共集组态：基极输入，射极输出。
共集组态
