由于 IGBT反并联SiC 肖特基势垒二极管，在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比，新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下，开关频率提高至少 40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸，进而降低物料成本。该 Hybrid IGBT 可直接替代 TRENCHSTOP? 5 IGBT，无需重新设计，便能使每10 kHz开关频率提升 0.1% 的效率。
此产品系列可作为全Si解决方案和高效能 SiC MOSFET 设计之间的衔接，与全Si设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性，使二极管能快速开关，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供 TO-247-3或 TO-247-4 引脚的 Kelvin Emitter 封装供客户选择。Kelvin Emitter 封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制回路，并降低总开关损耗。
供货情况
CoolSiC? Hybrid IGBT 单管延续之前采用 IGBT 与 CoolSiC?肖特基势垒二极管的 CoolSiC? Hybrid IGBT EasyPACK? 1B 和 2B 模块的成功经验。此单管产品组合即日起接受订购。产品组合包含反并联半电流CoolSiC?第 6 代SiC二极管的 40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP? 5 超高速 H5 IGBT，或反并联全电流 CoolSiC?第 6 代SiC二极管的快速 S5 IGBT。
