BJT的特性曲线

（1）输入特性　　　

　　

　　V_CE=0V时，b、e间加正向电压，这时发射结和集电结均为正偏，相当于两个二极管正向并联的特性。

　　V_CE≥1V时，这时集电结反偏，从发射区注入基区的电子绝大部分都漂移到集电极，只有小部分与空穴复合形成I_B。 v_CE>1V以后，I_C增加很少，因此I_B的变化量也很少，可以忽略v_CE对I_B的影响，即输入特性曲线都重合。

　

注意:发射结开始导通的电压v_BE：0.6V~0.7V(硅管)，0.1~0.3V(锗管)

（2）输出特性曲线

　　对于一确定的i_B值，i_C随V_CE的变化形成一条曲线，给出多个不同的i_B值，就产生一个曲线族。如图3.6所示。

　

　　① I_B = 0V， I_C=I_CEO BJT截止，无放大作用，因此对应I_B=0的输出特性曲线以下的区域称为截止区如图3.6所示。

　　② I_B﹥0 ， V_CE<1V ，i_C随I_B的变化不遵循的规律，而且i_C随V_CE的变化也是非线性的，所以该区域称为饱和区。

　　③ I_B﹥0、V_CE≥1V，i_C随i_B的变化情况为：
或

　　在这个区域中I_C几乎不随V_CE变化，对应于每一个I_B值的特性曲线都几乎与水平轴平行，因此该区域称为线性区或放大区。