设有旁通电路的低噪声放大器开始样品供货

　新日本无线已研发成功适用于采用CMOS RF IC的800MHzCDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6，并开始样品供货。 
 
　　利用CMOS技术实现高频RF电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器（LNA: low noise amplifier）。 NJG1127HB6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800MHz的CDMA手机的设有旁通电路的低噪声放大器。 
　　NJG1127HB6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了IIP3=+8dBm min.@ f=880MHz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。 
　　此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对RF信号进行增幅，NJG1127HB6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流（低增益模式）。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对RF信号进行增幅（高增益模式）。 
　　对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换。 
　　NJG1127HB6： 
　　① 高线性 IIP3=+8dBm(min.) 高增益模式时 IIP3=+15dBm(min.) 低增益模式时，实现了低失真特性。 
　　②实现了低增益模式时15μA(typ.)的低消耗电流。 
　　③内置控制用逻辑电路，便于进行模式切换 
　　④内置保护元件，实现了人体静电模型法（HBM：Human Body Model)1000V以上的高静电放电（ESD：Electrostatic Discharge）耐压性能。 
　　该产品适用于800MHz的CDMA手机的低噪声放大器。 
 
NJG1127 设有旁通电路 低噪声放大器GaAsMMIC 800MHzCDMA手机用 低噪声放大器 USB8-B6 
　　产品功能及主要特征 
　　●高ESD耐压 HBM　1000V以上 
　　●低工作电压 +2.8V. 
　　●低切换电压 +1.85V 
　　◎ 高增益模式 
　　●高IIP3 +8dBm(min.)@ f=880MHz 
　　●微小信号高增益 15dB(typ.) @ f=880MHz 
　　●低噪音 1.4dB(typ.) @ f=880MHz 
　　◎ 低增益模式 
　　●高IIP3 +15dBm(min.)@ f=880MHz 
　　●低消耗电流 15μA(typ.) 
　　●小、薄型封装 USB8-B6（封装尺寸 : 1.5 x 1.5 x 0.55mm typ.）