1 无线基站
罗姆（ROHM）针对无线基站推出了多款解决方案，包括一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等，有助于降低功耗。
SiC MOSFET具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性，即使在高温环境下也能显示出色的电器特性，有助于大幅降低开关损耗和周边零部件的小型化。罗姆备有650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品。其中，第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列有650 V和1 200 V的六款产品，特点是导通电阻比第2代平面型产品小50%，这使其非常适合需要高效率的大型服务器电源、UPS系统、太阳能转换器以及电动汽车充电桩。SCT3系列以能更大限度提高开关性能的4引脚封装（TO-247-4L）（图1右）形式提供。与传统3引脚封装类型相比，开关损耗最大可以减少35%，有助于在各种应用中降低功耗。此外，与传统3引脚封装SiC MOSFET中的栅极电压因电源终端的电感元件而下降、导致开关速度延迟不同的是，这种新型4引脚封装包含的栅极驱动器电源终端与传统电源终端分离，可更大限度减少栅极电压的下降，从而能够大幅度提高开关性能。
图1 罗姆第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列
2 80V工业应用
罗姆的耐高压DC/DC转换器输入电压达80V，输出电流达3A,支持广泛的工业应用。其中， BD9G341AEFJ-LB（图2）内置80V耐压3.5A额定电流、导通电阻150mΩ的功率MOSFET，还通过电流模式控制方式，实现了高速瞬态响应和简便的相位补偿设定。频率在(50～750)kHz的范围内可变，内置低电压误动作防止电路、过电流保护电路等保护功能。此外，可通过高精度的EN引脚阈值进行低电压锁定，及使用外接电阻设定滞后。
图2 罗姆耐高压DC/DC转换器BD9G341AEFJ-LB
3 48V汽车、工业与基站设备
此外，在罗姆高耐压、同步整流降压DC/DC转换器产品中，BD9V101MUF-LB（图3）采用了罗姆专有的超高速控制技术——Nano Pulse Control，开关导通时间短，使用单芯片即可从48V转换为3.3V（2.1MHz开关频率下）。DC/DC转换器的单芯片化与使用2个芯片相比，可以大大减少包括外围零件在内的零件数量，特别是频率的提高，使线圈的大幅小型化成为可能。因此，不仅实现了应用的小型化、系统简化，还降低了成本。轻度混合动力汽车自不必说，在工业机器人、基站的辅助电源等采用48V电源系统驱动的工业设备领域，有助于小型化和低成本化，有望进一步在社会上得到推广。
图3 罗姆高耐压、同步整流降压DC/DC转换器BD9V101MUF-LB
（本文来源于《电子产品世界》杂志2020年9月期）
