1 TI GaN概述：
TI的集成GaN FET可用于工业和汽车市场的各类应用。TI GaN在一个封装中集成高速栅极驱动器和保护功能，可提供优异的开关速度和低损耗。
如今，我们的GaN应用于交流/直流电源和电机驱动器、电网基础设施和汽车充电等多种应用。在所有这些应用中，TI GaN能够实现99％的效率，高达300％的功率密度，且在大多数情况下消除了强制风冷。
我们内部的硅衬底GaN工艺利用了现有的TI工艺技术节点——提供多种供应链和成本优势。与其他基于诸如SiC或蓝宝石等非硅衬底的宽带隙技术不同，TI的硅衬底GaN工艺完全利用我们的内部制造设施进行制造、组装和测试，充分利用了内部产能并实现了可靠的产品质量。
德州仪器（TI） 高压电源产品副总裁兼总经理 Steve Lambouses
2 TI GaN应用示例
汽车充电：用于电动汽车时，尤其是车载充电器（OBC）和高压DC/DC转换器中，GaN具有显著优势。汽车中使用TI高效、完全集成的GaN解决方案，可实现将OBC和DC/DC组合在一个位置的更加小巧轻便的“一体式”架构。这样不仅延长了电池续航时间，还提高了可靠性并降低了成本。
5G： GaN已在5G应用中投入生产。在5G领域，设计人员需要将这些应用的功率密度提高一倍（例如在1.5 kW空间中使用3 kW功率），或利用GaN的高工作效率来中和增加的成本并消除强制风冷的维护。
消费类电子产品： GaN正在缩小电视、手机适配器和笔记本电脑电源中电源的整体尺寸。在不远的未来，支持GaN的像帧电视的功率密度将会提高2-3倍，为我们带来更出色的视觉效果。
3 TI GaN可靠性优势
工业和汽车市场对电子元件的可靠性要求极高。TI在设备和应用可靠性方面进行了大量投资——迄今为止，已测试了超过3000万小时的应用可靠性数据。TI还是JC70的创始成员。JC70是GaN等宽带隙器件的首个JEDEC规范。另外，从TI的GaN工艺和可靠性测试到驱动器开发和封装技术，我们还致力于提供100％内部开发的GaN。这些标准旨在确保器件具有高质量和高性能，同时保持最低成本。
（本文来源于《电子产品世界》杂志2020年9月期）
