景翔推荐的TM2009是一款前端多芯片集成电路，芯片使用先进的砷化镓(GaAs)技术。 前端MCM集成电路包括功率放大器(PA)，低噪声放大器(LNA)和二个RF单刀双掷(SPDT)开关。 这个设备最适合IEEE 802.11.b/g、Bluetooth、2.4Ghz影音应用、无线数据终端，和可携式的设备。 PA提供了+23dBm (最大值)输出的功率输出，效率(PAE) 41%。 LNA噪声指数NF在1.8dB之下。 RF SPDT开关在2.4GHz对2.5GHz范围，有非常低插入损失0.4dB。 本IC在封装QFN 4mm-20L封装内。
Applications:
Bluetooth PA(Class 1)
Wireless Data Terminal
Wireless Audio
portable Battery Powered Equipment
Features
High Efficient Power Amplifier:41%at Pout=23dBm
P1dB:+21dBm Typical@+3.3v
Low-Noise Amplifier(NF typical 1.8dB)
Low Insertion loss:0.4dB@2.4Ghz
llp3:55dBm@Input Power up to 20dBm
QFN 4*4 mm 20L with thermal ground ultra small plastic package
Green,MSL 1
