关于铁电质
下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。
PZT晶体结构和FRAM工作原理
1、 当加置电场时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）
2、 即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。
3、 两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。
存储器分类中的FRAM
* 非易失性：即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
优势
与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：
非易失性
● 即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
● 与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）
更高速度写入
● 像SRAM一样，可覆盖写入
● 不要求改写命令
● 对于擦/写操作，无等待时间
● 写入循环时间 =读取循环时间
● 写入时间：E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
● 确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
● 耐久性：超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
● 不要求采用充电泵电路
● 功耗：低于1/400的E2PROM
表1. FRAM和其它器件间规格差异的比较表
表1. 与其它存储器产品相比，FRAM的特性
| FRAM | E2PROM | Flash | SRAM | |
存储器 类别 | 非易失性 | 易失性 | ||
| 晶胞结构*1 | 1T1C/2T2C | 2T | 1T | 6T |
数据 改写方法 | 覆盖写入 | 擦除+写入 | 扇面擦除+ 写入 | 覆盖写入 |
写入 循环时间 | 150ns*2 | 5ms | 10μs | 55ns |
| 耐久力 | 最大 1012 （1万亿次循环*3）*2 | 106 （100万次循环） | 105 （10万次循环） | 无限制 |
写入 操作电流 | 5mA（典型值）*2 15mA（最大值）*2 | 5mA （最大值） | 20mA （最大值） | 8mA （典型值） - |
| 待机电流 | 5μA（典型值）*2 50μA（最大值）*2 | 2μA （最大值） | 100μA （最大值） | 0.7μA（典型值） 3μA（最大值） |
*1) T=晶体管. C=电容器
*2) 256Kb独立的FRAM存储器的技术规格
*3) 读写操作的总循环
富士通FRAM集成型产品
● 独立存储器（I2C/SPI/并行接口产品）
富士通半导体提供了独立的存储器，它具有FRAM的优势，包括非易失性、高速读写、低功耗和更高的读写耐久性。你可以将其用于各种应用，如移动装置，OA设备，数字电器和银行终端等。
● 独立存储器（I2C/SPI/并行接口产品）
● 适用于RFID的LSI
● 验证 IC
● 应用
● 定制 LSI
● 技术支持
