紧贴电源管理技术高集成度和智能化的发展趋势，华虹半导体最新推出了90纳米BCD工艺平台，其LDMOS涵盖5V至24V电压段，其中Switch LDMOS具有耐高击穿电压下的较低导通电阻，达到业界先进水平。为了满足高集成度发展趋势，该工艺平台亦提供1.5V CMOS选项，具有更高的逻辑门密度，可有效缩减芯片面积。结合较少的生产掩模数，能为客户提供性价比更优的芯片代工方案。同时，该平台可提供多种器件集成，并配套丰富的数字单元库和OTP及MTP嵌入式存储器选项，增强了设计的集成度和灵活度。在该平台上，华虹半导体还将继续投入研发资源，提供更丰富的器件类型，并将LDMOS扩展至40V及以上电压段，覆盖更广泛的应用需求。
此外，华虹半导体持续8英寸生产线的研发创新，优化升级现有满足车规要求的180纳米 BCD技术，在相同的击穿电压下，导通电阻平均降低约25%，技术性能显著提升，达到业界先进水平。公司将进一步将180纳米BCD技术中的LDMOS的最高电压由40V扩展至100V，并提供更多电压段的设计选项，满足工业控制及汽车电子领域需求。同时，集成嵌入式闪存模块的110纳米BCD工艺平台，可达到车规级应用要求，实现了高智能化控制与电源管理集成的单芯片解决方案。
华虹半导体拥有先进的模拟及电源管理IC工艺平台，涵盖0.5微米到90纳米工艺节点，可广泛应用于电源管理、工业控制、音频功放、室内外照明、汽车电子等领域，是DC-DC转换器、AC-DC转换器、LED照明和电池管理等产品的极佳工艺选择。
华虹半导体执行副总裁范恒 表示，“5G、物联网、新能源汽车等多个新兴应用市场的持续成长带动了全球电源管理IC需求的快速增长。华虹半导体深耕电源管理IC领域多年，凭借对产品技术创新的专注以及行业市场和客户需求的深刻洞察，为国内外客户提供高效能、极具竞争力的绿色芯制造平台。”
