PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程，这些新器件提供低导通电阻RDS(on)，与竞争对手产品相比减小了60%以上，它们还具备优良的ESD性能，低至0.7 V的超低VGS电压阈值，这个参数对低驱动电压的便携式产品应用至关重要。
Nexperia产品经理Sandy Wang评论道：“新一代可穿戴设备不断突破消费电子技术的界限。智能手机、智能手表、健身跟踪器和其他创新技术的演进需要微型化MOSFET，用以提供领先的性能和效率，从而实现越来越多的复杂功能。Nexperia拥有很高产能和制造能力，能够进行扩产，以最大限度地满足市场需求。”
