Wolfspeed高级副总裁兼总经理Cengiz Balkas表示：“科锐引领从硅向碳化硅的全球产业转型。我们的新型650V MOSFET系列迈进了一步，为包括工业应用在内的更多应用领域提供高功率解决方案。650V MOSFET所提供的优异功率效率，助力现今最大的技术领先企业开发新一代电动汽车车载充电、数据中心、储能方案等，帮助重塑我们的云技术和可再生能源基础设施。”
新型15 mΩ 和 60 mΩ 650V 器件，采用科锐业界领先的第3代C3M MOSFET技术，比之竞品碳化硅MOSFET，可最高降低20%开关损耗，为更高效率和更高功率密度的解决方案提供更低的导通电阻。终端用户将在各种不同应用中实现更高的功率使用效率、降低散热需求、业界领先的可靠性，从而实现更低的总体拥有成本，并从中获益。
与硅基方案相比较，Wolfspeed新型650V碳化硅MOSFET能够降低75%开关损耗和50%导通损耗，从而有望带来300%功率密度提升。设计工程师现在可以满足甚至超越业界极为严苛的效率标准，这其中包括了针对服务器电源的80 Plus? Titanium要求。
新型650V MOSFET系列同样也适合于电动汽车市场的车载充电机。更高的效率和更快的开关，帮助客户在设计更小尺寸方案时仍能获得附加性能。Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET能够助力车载充电机实现双向充电功能，无需在系统的尺寸、重量、复杂度等方面进行权衡妥协。与此同时，Wolfspeed在车用AEC-Q101认证方面的经验，以及业经验证的E-系列MOSFET，都为之后车用认证650V MOSFET铺平了道路。
