【ISSCC】由碳纳米晶体管组成的环形振荡器亮相

　【日经BP社报道】在ISSCC 2007上，由采用碳纳米管的晶体管组成的电路将亮相。美国IBM T.J.Watson Research Center的研究小组预定发表5级环形振荡器 

　　在CMOS回路中，一般使用NMOS晶体管与PMOS晶体管来组成环形振荡器。而此次IBM开发出的环形振荡器则不同，由使用Al作为栅电极的碳纳米晶体管以及使用Pd的碳纳米晶体管这2种晶体管构成。由于Al与Pd的功函数不同，因此采用Al栅极的晶体管与采用Pd栅极的晶体管，其阈值也不同。利用阈值差异，获得了利用CMOS工艺组成的环形振荡器相同的特性。不过，环形振荡器的工作频率在供给1.04V电压时仅为72MHz。此次使用的碳纳米晶体管的寄生电容高达11fF，寄生电容使得工作频率受到了限制。 

　　另外，美国斯坦福大学（Stanford University）与美国南加州大学（University of Southern California）的联合研究小组将发表碳纳米管电路与CMOS电路在运行速度及耗电量的对比研究结果（演讲编号：3.5）。据该研究小组介绍，与32nm工艺CMOS电路相比，碳纳米管电路的FO4（与1个扇出数为4的逆变器相当的延迟）快1.6倍，耗电量可降至1/120，EDP（energy-delay product）可改善23倍。（