由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率MOSFET应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用。
功率MOSFET的分类及优缺点
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上大部分功率MOSFET都是增强型的。（可能因为实际的制作工艺无法达到理论要求吧，看来理论总是跟实际有差距的，哈哈）
MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率MOSFET的通态电阻较大的缘故。
言归正传，下面来看看具体如何选型—功率MOSFET的选型：
（1）我的应用该选择哪种类型的MOSFET？
前面说了，实际应用主要使用增强型功率MOSFET，但到底该选择N沟道的还是P沟道的呢？如果你对这个问题有疑问，下面的图和注释会让你一目了然！
负载（Load）的连接方式决定了所选MOSFET的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用P沟道MOSFET；当负载连接电源电压时，选择N沟道MOSFET。
（2）确定额定电压与额定电流
选好MOSFET的类型后，接下来要做的是确定在你的设计中，漏极和源级间可能承受的最大电压，即最大VDS 。MOSFET能承受的最大电压会随温度变化，这是我们工程师在设计时必须考虑到的，必须在整个可能工作温度范围内测试电压变化范围。
接下来，说点实际的：
MOSFET在关断瞬间，会承受到最大的电压冲击，这个最大电压跟负载有很大关系：如果是阻性负载，那就是来自VCC端的电压，但还需要考虑电源本身的质量，如果电源质量不佳，需要在前级加些必要的保护措施；如果是感性负载，那承受的电压会大不少，因为电感在关断瞬间会产生感生电动势（电磁感应定律），其方向与VCC方向相同（楞次定律），承受的最大电压为VCC与感生电动势之和；如果是变压器负载的话，在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
