三星试生产50纳米16GB闪存 今年一季量产化

据国外媒体报道，三星公司宣布，公司目前正在生产采用50纳米技术的16GB NAND闪存的样品。 

　　首批生产的样品将采用4KB页的多层单元设计(MLC)。三星公司称，4KB页功能的数据读取速度是常规2KB页系统 MLC NAND闪存的两倍，同时还将写入速度提高了150%。 

　　三星计划在今年第一季度开始大规模量产16GB NAND闪存。 

　　2006年9月三星曾宣布，公司已开发出了基于40微米技术制造的32GB NAND闪存设备。该内存整合了Charge Trap闪存架构（CTF)，这种新工艺在改善产品性能的同时还有效地提高了产能。 

　　三星公司表示，高密度闪存的生产将加速非挥发性内存应用的普及，比如采用闪存制造的固体盘。三星在去年三月开始向市场提供32GB NAND闪存型固体盘（SSD)，三星预测说，到2010年，闪存型驱动器的市场销售额将增至45亿美元。 

　　研究公司In-Stat的预测表明，到2013年，笔记本电脑储存设备的SSD市场份额将达到50%。