IBM在硅芯片上形成微细延迟线 为实现光缓存开辟途径

      IBM开发出了在硅芯片上形成微细延迟线（Delay Line）的技术。2007年1月创刊的英国硅光子光杂志《自然光子学》（Nature Photonics）创刊号（2006年12月21日号）上刊登了有关论文。该技术设想利用光信号在高速计算机中进行芯片间传输，使用它能够实现芯片间光传输所需的光信号缓冲。 
　　IBM开发的延迟线是指利用硅芯片上的导光线路形成曲率半径最小为6.5μm的微环，然后将最多100个这样的环串联起来组成的元件。导光线路则是在200mm SOI晶圆上形成厚2μm的SiO2层，再在SiO2层上形成硅图案而制成的。硅图案以“双通道”为1组，截面尺寸为510×226nm。 
　　这种延迟线通过延缓光的到达时间，实现和缓冲相同的效果。这种延迟线过去就有，但此次的延迟线特点是尺寸非常小。从延迟线的传播损耗来说，通过波长1.55μm的红外线时只有1.7±0.1dB/cm。如果是芯片面积为0.09μm2的元件，可得到500ps以上的延迟。 
　　信息缓冲的记录密度比过去高，“在0.03mm2的面积上可达10位，相当于老式软驱1成的记录密度。在1个芯片上可集成数十万个这样的元件，此技术是实现芯片间光传输的重要一步”（IBM）。