IBM研发新型半导体材料 将催生新型闪存芯片

   当地时间本周一，IBM、Qimonda 和Macronix表示，其研发人员已经研究出一种新型的半导体材料，这将有可能催生一种新型的闪存芯片。
   IBM表示，与其它厂商的产品相比，这种新型的半导体合金在性能上有着更大的优势，如果成本能降下来，那全球的闪存市场又将增加一个强有力的竞争对手。
   据了解，用这种新型材料所制作的开关仅仅有3纳米高20纳米宽，这对闪存芯片厂商进一步缩小芯片体积作出了积极的举措。另外，该材料所制成的开关其速度比目前的闪存速度快500倍。