三星开发出80纳米新手机芯片 明年二季度将量产

美国东部时间12月27日（北京时间12月28日）据外电的最新报道称，三星电子周三正式宣布，该公司已开发出了一款新手机内存芯片。该款芯片要较以前的芯片更薄，但却耗电更低。 
三星电子称，该款容量为1GB的新手机内存芯片采用80纳米制造工艺。该款产品比现有的手机内存芯片薄大约20%，但耗电却能节省至少30 
%。三星电子指出，虽然这款新的1GB移动DRAM芯片使用传统的封装方式，但是它在其中引入了一个新的温度传感功能，从而使备用模式的电源消耗比传统内存芯片设计降低了30%。在芯片体积上，三星电子表示，新的1GB移动DRAM芯片至少比一块双512MB芯片封装的1GB芯片要至少薄20％，从而使1.5GB甚至2GB移动DRAM内存的单块高密度封装方案成为现实。
三星电子表示，这款新型芯片将比其他高密度移动芯片更加高效，并可以适用于大量先进手持设备产品中。该款新内存产品不仅使用于先进的手机，而且也能够适用于数码相机、便携式媒体播放器和便携式游戏机等等。三星电子称，在明年第二季度市场上对1GB内存芯片需求大幅增加时，该公司将开始量产该款内存芯片。
三星电子此前已表示，该公司预期2006年DRAM内存营收将达100亿美元，该公司同时预测今年全球DRAM市场将约达300亿美元。