ARM的DDR1和DDR2存储器接口IP支持TSMC 90纳米工艺

ARM公司新近发布了其Artisan物理IP系列中的ARMVelocity DDR1和DDR2(1/2)存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。 
    TSMC设计服务市场代理总监Kuo Wu表示：“在我们对IP认证的严格要求下，ARM Velocity DDR1/2存储器接口在我们的90纳米工艺取得了首次投片成功。”
    ARM 90纳米Velocity DDR1/2存储器接口解决方案包括多组可编程ODT(on-die termination)和输出驱动阻抗控制(output driver impedance control)，所有的端头在使用ARM先进的动态校准器电路的情况下能够获得很高的阻抗精度。这些特性提高了整体信号的完整性，并且加快高速系统设计的开发周期。90纳米VelocityDDR1/2存储器接口提供最适宜的解决方案，为需要用到SDRAM的众多应用(例如主流台式电脑、网络设施和服务器)提供可调整的功耗和性能。这些可用于DDR1和DDR2的双倍数据速度解决方案可以最高达800Mbps的数据速度运行，并实现了SDRAM组建和存储器控制器之间的所有接口。
    基于TSMC 90纳米工艺的ARM Velocity DDR1/2存储器接口解决方案现已供货。已授权设计师可在www.arm.com免费下载用于TSMC 90纳米工艺的DDR1/2前端解决方案。DDR后端解决方案可从当地ARM销售渠道获得。