据了解，由于DRAM第三季度旺季需求来临，加上DDR1、DDR2及Flash三种产品的产能相互排挤，已带动大厂的备料需求，其中DDR1的供应面已转趋吃紧，短线有机会上看2.5美元，再度创造DRAM厂获利荣景。
由于目前国内现货市场，DRAM现货价格都有1%至3%的小涨幅度，业内人士认为，受惠第三季度时旺季需求效应顺利发酵，其价格仍有再度上涨的趋势。
对于引起DRAM价格变化的原因，业者分析，主要是因为三星积极转进NAND FLASH产能生产，从而造成DRAM产能吃紧。目前全球DRAM颗粒现货价及合约价格走势，虽已较过去几个月平稳许多，然而DRAM厂表示，正因为2005年初以来DRAM颗粒报价持续走跌，导致DRAM大厂陆续将产能转移至NAND型Flash，其中三星电子便自4月起将约2万片的12寸厂产能，转进NAND型Flash，此举将造成三星DRAM供给量骤降15～20％，因此自6月起市场便出现供货吃紧状态，而预料此波供需失衡情况至少将持续至第三季。
业内人士同时表示，接下来想再拿到足够DRAM颗粒货源的机会将越来越小，最主要原因便在于三星一下将大量产能转进NAND Flash，而海力士、美光、英飞凌等大厂也同样积极地将产能转移至NAND Flash，正因为全球前几家DRAM大厂陆续大幅调降DRAM产能，如今已开始见到产能转移造成的后遗症。自第三季度旺季起甚至到第四季度，整体DRAM市场都将呈现供货吃紧状态，尤其第三季度供需缺口将达到最高峰，届时其现货价格必将有继续上涨的空间。
