IBM新型半导体 闪存速度将提高500倍

    IBM和两家合作伙伴的科学家已经开发出一种新型材料，他们认为这将催生新型的内存芯片，满足日益增长的存储数字音乐、图像、视频的需求。


    本周一，IBM以及Qimonda和Macronix的研究人员将在国际电子设备会议上宣读阐述这一技术的论文。研究人员已经利用生产CD、DVD等的材料研制出了一种半导体合金。

    IBM、Qimonda、Macronix并非在研制闪存替代品的唯一机构，英特尔和意法半导体也在联合研发相关技术。

    三星推出了容量为512兆位的原型产品，并计划在2008年推出商业性产品；英特尔已经展示了128兆位的原型产品，并计划在2007年推出产品。

    IBM的科学家说，他们的技术具有重要意义，因为与其它厂商在原型产品中使用的材料相比，他们的新材料具有性能优势。如果这一技术的制造成本足够低，它将在186亿美元的闪存市场上催生一个新的竞争对手。

    IBM表示，尽管已经退出了内存制造业务，它对能够改进企业计算体验的技术非常感兴趣。更快的非易失性内存能够改变IBM的微处理器设计，提高基本操作的速度。

    据IBMAlmadenResearchCenter的高级经理SpikeNarayan说，新的内存技术可能被添加到未来一代的IBMPowerPC微处理器中。

    据科研人员称，这种新材料的优点是，由它制成的开关的速度比目前的闪存芯片快500倍。他们开发成的原型开关只有3纳米高、20纳米宽，这使得该技术的尺寸能够被进一步缩小。

    目前的闪存芯片的存储容量达到了320亿兆位，但是，闪存芯片厂商要想继续缩小芯片尺寸会遇到更多的问题。

    业界官员表示，在目前的半导体技术似乎“山穷水尽”之际，这种新材料会刺激计算机和消费电子产业的发展。