奇梦达开发出2位/单元65nm工艺存储元件

德国奇梦达（Qimonda）和法国Altis Semiconductor联合开发出了2位/单元的多值化65nm工艺MRAM存储元件。此次是首次使用微细存储元件对MRAM多值化的可能性进行实证。两公司在美国旧金山举行的“2006 IEDM”上发表了该存储元件（演讲序号：6.5）。 
　　通过磁性层的磁化相对角实现4值 
　　奇梦达开发的MRAM存储元件是被称为热选择（Thermal Select）型的产品，能比较容易地抑制消费电流随微细化增大。利用电流流经存储元件时生产的热量轻松反转存储层磁化方向的特性，从而减小了数据写入所需电流。 
　　此次奇梦达试制了相当于65nm工艺的尺寸为70nm×140nm的存储元件，并证实了能够以4个不同的值来稳定决定数据读取信号的磁阻值。具体来说，就是在普通热选择型单元中追加1根与位线垂直相交的写入线，以0～180°之间的4个角度来稳定存储元件的2个磁性层的磁化相对角，从而实现了4值化。这样一来，从原理上说，存储元件便可实现2位（4值）/单元的多值化。 
    单元面积为5F2/位,相当于10F2，每位的单元面积为5F2。这样，与由2个单元构成2位时（单元面积相当于17F2）相比，单元面积削减了40％，单位面积的实效位数可提高70％。 
　　存储元件的磁性层采用CoFeB/Ru/CoFe积层构造，通道绝缘膜使用MgO。通过采用MgO，实现了超过100％的大磁阻比（MR比），为此次的优越成果做出了贡献。开发小组此次证明了1位/单元的热选择型存储元件面积为50nm×90nm时也能正常工作。在MRAM存储单元中，该尺寸在此前公布的数据中为最小。