该600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势，还兼具高换相稳固性，同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 V CoolMOS CFD7拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 V CoolMOS CFD7可为THD和SMD器件提供业内领先的解决方案，从而能够支持高功率密度解决方案。
