新型存储芯片明年上市

IBM等公司的科研人员12月14日发布了一项新的存储芯片技术。这项被称为“相变”内存的新型计算机存储器技术将有望取代已被广泛用于计算机和消费类电子产品中(如数码相机和MP3播放器)的闪存芯片。
　　“相变”内存的处理速度远远快于闪存，并且尺寸也比闪存小得多，还更节能。IBM研究中心展示的模型显示，新内存的数据交换速度比闪存快500倍，而写入数据的功耗不到闪存的一半。其截面面积仅为3×20纳米，远比当今的闪存小。一种新型存储材料的使用是带来突破性变化的主要原因。这是一种复杂的半导体合金，它是借助专门用于相变存储单元的数学仿真设计而成的。
　　目前，全球便携、可读写存储设备市场规模约为186亿美元，其中闪存芯片占据了超过一半的市场份额，美国英特尔公司和韩国三星公司在该领域处于领先地位。运用新技术的芯片预计将于2007年年底投入量产