首先来看第一个造成可控硅元件失去控制的原因，那就是可控硅的正向阻断力降低。在平时的应用中，如果可控硅长时间不用，而同时又因为密封不好的缘故受潮，那么可控硅元件正向阻断能力是很轻易降低的，可控硅元件的正向阻断能力降低到低于整流变压器的二次电压，硅元件就不要等触发脉冲到来就会自然的导通，导致脉冲控制不会起作用，输出的电压波形是1个正半波，使得励磁电压提升。
导致可控硅元件失控的第二个常见原因是电路中的维持电流过小，由于发电机转子是以电感为主的大电流负载，对于半控桥来讲，电压过零以后，电流不是零，即使半控桥在电感负载侧设有续流管，不过要是续流管的管压降高于导通的可控硅元件的管压降，电感上的电流除了大部分从续流管流过外，仍有部分电流在原导通的可控硅上流过。这个电流虽然是衰减的，但是在外加电压整个负半周，电流仍未能减到小于维持电流，到下1个正半周到来时，该硅元件就不需要等触发脉冲到来就继续导通。如此连续下去，一相可控硅连续导通，同样会因输出大电流而造成误强励。
触发器丢脉冲是第三个造成可控硅元件失去控制的重要原因，在电路系统正常运行的前提下，如果三相脉冲正常，即使维持电流很小可控硅元件也可以确保正常换相，不会出现失控的情况，而一旦出现了丢脉冲的情况，则可控硅就不可以确保正常换相，元件本身也一定会失控。
以上就是本文针对三种导致可控硅元件失控的原因，所进行的简单总结和分析，希望能够对各位工程师的日常工作有所帮助。
