德州仪器LM5113驱动器图1形象：优化的驱动高端和低端场效应晶体管的eGaN，TI的驱动程序LM5113提供了独立的接收器和源输出。该司机的eGaN可在频率高达切换到几MHz到与氮化镓晶体管的高开关速度兼容。它坐落在一个标准的WSON-10封装，以及在一个12焊球封装DSBGA，旨在高效电源转换公司(EPC)的eGaN FET的。为了保持杂散电感降到最低，将封装体积被最小化，从而允许的eGaN FET的期间PCB布局放置在靠近驾驶员。 EPC，事实上，已建成使用LM5113和场效应管的eGaN几个演示板。这些电路板示出了通过的eGaN场效应晶体管，包括驾驶员启用了高的效率，在这两个分离的和非隔离DC / DC转换器的设计，同时提供高的功率密度。由EPC演示板展示了高转换效率表明驾驶员LM5113是最合适的，用于驱动的eGaN场效应管。现在，让我们分析一些这些评估板的。评估板在EPC的评估板方面，最近推出的EPC9022通过EPC9030，它提供半桥拓扑板载栅极驱动器LM5113和公司的超高频，高性能的eGaN FET家族EPC8000的成员。例如，EPC9022包括两个65 V EPC8002氮化镓的FET与LM5113作为栅极驱动器的半桥式配置(图2)。
总承包的评估板图2图像：EPC的评估主板采用采用超高频，高性能的eGaN FET和栅极驱动器LM5113半桥拓扑结构。同样，TI已经创建了自己的评估板为5 A，100V的半桥的eGaN FET栅极驱动器LM5113。它实现了一个同步降压转换器，用于产生降压和同步switches.²的规格为这款主板的PWM信号，如用户指南给定电压模式控制器LM5025，包括15 VDC至60 VDC输入工作电压，10 VDC与10 A，48 VDC输入接口及7一60 VDC输入输出电压。开关频率为800千赫。所测量的效率绘制在图3中，其示出93.9%的在48伏直流输入和10 A的输出电流。该图表明，该效率提高作为输入电压下降。在24 V输入，报道效率是96%，10 VDC输出的德州仪器LM5113评估板效率与10 A.图像负载电流
图3：LM5113评估板效率与负载电流不同的输入电压。对于高功率应用，TI已开发出具有自主源和宿功能的7.6的低侧驱动器。指定LM5114，它被优化来驱动的eGaN场效应晶体管在低侧的应用，如同步整流器和升压转换器。 LM5114(图4)其他主要功能包括匹配反相和非反相输入端，以减少死区时间损耗之间的延迟时间，12 ns的典型传播延迟，使高开关频率，低输入电容，TTL / CMOS逻辑兼容，和分裂栅极输出。对于操作，它需要从4 V至12.6 V单电源供电，可以处理高达14 V逻辑输入，无论电压在VDD引脚。坐落在SOT-23-6和WQFN-6封装，工作温度范围为这个的eGaN FET驱动器为-40°C至+ 125°C。
德州仪器LM5114图4形象：LM5114设计用于驱动低边场效应管的eGaN。它提供了独立的源和汇产出可控的上升时间和下降时间。总之，供应商如TI已经推出过的，现成的栅极驱动器，以帮助满足的eGaN FET的轻松的严格驱动要求，从而使设计人员能够挖掘这些新的高性能晶体管世行集团全部收益。
