在进行双向可控硅应用时，需要选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
具有高初始涌入电流的常见负载是白炽灯，冷态下电阻低。对于这种电阻性负载，若在电源电压的峰值开始导通，dIT/dt将具有最大值。假如这值有可能超过双向可控硅的dIT/dt值，最好在负载上串联一只几μH的电感加以限制，或串联负温度系数的热敏电阻。重申，电感在最大电流下不能饱和。一旦饱和，电感将跌落，再也不能限制dIT/dt。无铁芯的电感符合这个条件。一个更巧妙的解决办法是采用零电压导通，不必接入任何限制电流的器件。电流可以从正弦波起点开始逐渐上升。注意：应该提醒，零电压导通只能用在电阻性负载。对于电感性负载，由于电压和电流间存在相位差，使用这方法会引起“半波”或单极导通，可能使电感性负载饱和，导致破坏性的高峰电流，以及过热。这种场合，更先进的控制技术采用零电流切换或变相位角触发。
若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上最好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
相信大家在阅读过本文之后都对双向可控硅导通dIT/dt有了全新的认识，只要按照文中给出的相关规则进行双向可控硅导通dIT/dt，相信便能顺利完成读者所需的设计。在之后的文章中，小编将为大家继续介绍双向可控硅在其他应用中的规范与技巧。
