英特尔开发浮体效应晶体管 增加芯片缓存量

      CNET科技资讯网12月12日国际报道 英特尔公司正在研发一种晶体管设计，这有助于英特尔的设计人员在处理器中集成更多的内存。 
　　英特尔技术和制造集团负责零件研究的主管迈克表示，研究人员计划在本周的“国际电子设备会议”上宣读一篇论文，阐述在“浮体单元”晶体管方面的研究工作。他说，“浮体单元”晶体管可以使英特尔生产集成有更大容量缓存的处理器，提高处理器的性能。
　　“浮体单元”技术旨在提高处理器上缓存的密度。缓存用于存储处理器经常用到的数据和指令，能够提高处理器的性能。但制造缓存的SRAM单元的密度低于英特尔的期望值，一个缓存单元需要6个晶体管，但只能存储1位信息。英特尔希望将存储1位信息的晶体管数量减少到1个。
　　东芝和加州大学伯克利分校也在进行“浮体单元”晶体管的研究，但它们的技术有一定的限制。
　　尽管取得了进展，英特尔还有一些障碍需要克服。