如图1所示，直流24V是半波整理后阻容降压所致，之后HT7533转换3V给单片机来控制可控硅和继电器。单片机控制信号先打开可控硅6ms，之后再打开继电器。那么问题来了，当可控硅不焊接时，单片机控制继电器正常，但连接MAC97A后，单片机接通可控硅后电路打火，单片机和后端的24V转3V的LDO烧毁，为什么会这样呢?
如果在电路中需要使用可控硅，就需要用MOC3022之类光耦隔离控制，要求阻容降压电源正极和交流电源线共线，同时可控硅A1接在共线上。 反观案例中的原理图和PCB，可以看到可控硅的G和T2之间电压很小，可控硅在焊接之后就将220v引入，因此打火的情况是必然的。
此外不是只在G接控制即可，G的控制是相对于T2的，但T2已经达到了220v，烧毁是必然的。这里多说一句，有的设计者很有想法，这样的方式能够让继电器接通时有抖动，可以避免继电器抖动带来的危害，因为在继电器接通时，可控硅已经打通。
有时间的朋友可以试试使用过0触发的MOC3041/61/83之类来隔离驱动案例中的可控硅，可能连过0检测都不需要了。
通过分析，可以看到本例中双向可控硅烧毁的问题是由设计和接通错误造成的。正在学习可控硅相关知识的朋友可以仔细阅读本文，相信一定能从文中找到一些有用的解决方法或知识点。
