原理图如图1所示，当直流24V是半波后阻容降压，HT7533转换3V给单片机控制可控硅和继电器，单片机控制信号先打开可控硅6ms，再打开继电器。当可控硅不焊接的时候，单片机控制继电器都正常，但接上MAC97A之后，单片机一旦打开可控硅，电路就会打火，单片机和后端的24V转3V的LDO便会烧毁。
那么是什么原因造成了这种现象呢?
图1
图2
首先需要明确的是，如果使用可控硅控制，那么就要使用MOC3022之类光耦隔离控制，要求阻容降压电源正极和交流电源线共线，同时可控硅A1接在共线上。但是从图上来看，可控硅的G和T2之间电压很小，在可控硅焊接之后，就可以把220v引入，此时是必定会打火的。
此外可以看到电路中的网格编号是互通的，看图中相同网络编号的黑粗线，继电器两个触点和可控硅的T1、T2是并联的。因此需要再加个MOC3021隔离驱动可控硅，可控硅驱动不是只在G接控制即可，G的控制是相对于T2的，但本例中的T2是达到了220v。
实际上此套电路的设计思路很有想法，继电器接通时有抖动，这样可以避免继电器抖动带来的危害，因为在继电器接通时可控硅已经打通。
可以看到，文中所介绍的双向可控硅案例之所以出现烧毁的现象。是因为电压引入过大造成的。当然，也不是每种电路烧毁的现象都是由于这种原因造成的，这里小编只是为大家分析了其中一种问题的产生原因，希望大家再阅读过本文之后能够有所收获。
