飞兆半导体MOSFET器件FDZ191P可工作于1.5V低电

    飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压(<20V)便携式电子产品提供功率转换、充电和负载管理所需的最佳热性能和电气性能。特别适合这个器件的应用对象包括：移动电话、数码相机、MP3播放器、医疗设备，以及其它智能化，小型化的便携式产品。

飞兆半导体的FDZ191P器件的性能优于市场上大部分专为低压应用而设计的功率MOSFET。FDZ191P作为PowerTrench MOSFET，采用了飞兆半导体最新的晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，因而具有出色的热阻(83℃/W)和低RDS(ON)(4.5V时为67mΩ)。FDZ191P具有超小型(1.0mmx1.5mmx0.65mm)封装，与同类器件相比能节省至少30%的线路板空间，而且最大的封装高度仅为0.65mm，使其非常适用于高密度产品和超薄型消费电子产品的设计。FDZ191P还能够工作于1.5V的低电压，这在功率管理设计中是一个重要的特性。此外，FDZ191P还满足全球电子产品应用要求的所有“绿色”和RoHs标准。


FDZ191P的主要优点包括：

超小的封装和高度——仅占用1.5mm2的印刷线路板面积，当安装在印刷线路板上时，FDZ191P的高度不超过0.65mm，因此适用于各种高密度应用；

出色的热性能和电气性能——FDZ191P提供优良的散热特性(安装在1"x1"铜焊盘上时，thja=83℃/W)。它还可满足便携式产品的功率管理设计要求(Vgs=4.5V时典型的RDS(ON)为67mΩ，Vgs=2.5V时RDS(ON)为85mΩ)；

高功率和大电流处理能力——安装在1"x1"铜焊盘上时，FDZ191P有助于实现1.5W的功率耗散(Pd)和3A的连续漏极电流(ID)；

满足RoHS/绿色标准要求——FDZ191P能达致国际性的RoHS标准和绿色标准。


这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。FDZ191P器件已有现货供应，交货期限为收到订单后12周内。