传导损耗是由设备寄生电阻阻碍直流电流在DC/DC转换器中的传导产生的。传导损耗与占空比有直接关系。当集成上桥臂MOSFET打开后，负载电流就会从其中通过。漏-源通道电阻(RDSON)产生的功率耗散可以用公式1表示：
其中D = 
= 占空比
对于LM2673这样的非同步设备，在集成MOSFET关闭时，二极管被正向偏置。在此期间，电感电流通过输出电容器、负载和正向偏置二极管降低。负载电流流过二极管产生的功率耗散可以用公式2表示：
其中VF是选定二极管的正向电压降。
除了集成MOSFET与钳位二极管中的传导损耗，电感器中也有传导损耗，因为每一个电感器都有有限的直流电阻(DCR)，即线圈中导线的电阻。公式3表示电感器中的功率耗散：
传导损耗取决于负载电流。负载增大时，MOSFET中的传导损耗会增加，而且是主要损耗因素。传导损耗及开关、驱动和内部低压差线性稳压器(LDO)的损耗会产生很多的热量，增加集成电路(IC)的结温。增加的结温可以用公式4表示：
其中ICTj是IC的结温，TA是环境温度，θJA是IC到空气的热阻，ICPd是IC中总功率耗散。
