1 BJT
电流型全控器件;
正持续基极电流控制开通，基极电流为0则关断;
开关频率适中;
双极;
主要优点：通态压降小，通态损耗小;
主要缺点：驱动功率大，频率低。
2 SCR
电流型半控器件;
正脉冲门极电流控制开通，触发信号不能控制开断;
开关频率低;
双极;
主要优点：通态压降小，通态损耗小;
主要缺点：驱动功率大，频率低。
3 GTO
电流型全控器件;
正脉冲门极电流控制开通，负脉冲门极电流(较大)控制关断;
开关频率低;
双极;
主要优点：通态压降小，通态损耗小;
主要缺点：驱动功率大，频率低。
4 P-MOSFET
电压型全控器件;
正持续栅极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断;
开关频率高;
单极;
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高;
主要缺点：通态压降大(通态损耗大)，电流、电压额定低。
5 IGBT
电压型全控器件;
正持续栅极电压控制开通，负持续栅极电压控制并保持关断;
开关频率较高;
双极;
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高;
主要缺点：通态压降大(通态损耗大)。
6 MCT
电压型全控器件;
正脉冲电压控制开通，负脉冲电压控制关断;
开关频率较高(低于IGBT);
双极;
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高;
主要缺点：通态压降大(通态损耗大)。
7 SIT
电压型全控器件;
持续电压控制断、通;
开关频率高;
单极;
主要优点：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高;
主要缺点：通态压降大(通态损耗大)。
