1、结构和符号(以N沟道增强型为例)
在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号
2、工作原理(以N沟道增强型为例)
(1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。
VGS =0， ID =0
VGS必须大于0
管子才能工作。
(2) VGS>0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。
VGS >0→g吸引电子→反型层→导电沟道
VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑
(3) VGS≥VT时而VDS较小时：
VDS↑→ID ↑
VT：开启电压，在VDS作
用下开始导电时的VGS°
VT = VGS —VDS
(4) VGS>0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。
VDS↑→ID 不变
3、特性曲线(以N沟道增强型为例)
场效应管的转移特性曲线动画
4、其它类型MOS管
(1)N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在VGS=0时，由于正离子的作用，两个N区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
(2)P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当VGS 0时管子才能工作。
(3)P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在VGS=0 时，由于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。
5、场效应管的主要参数
(1) 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。(增强)
(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。(耗尽)
(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)
(4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。
(5) 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。
在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。
(6) 最大漏极电流 IDM
(7) 最大漏极耗散功率 PDM
(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS
