为了防止这种情况的发生，必须在系统处于轻载条件时采取措施增加延迟。自适应死区时间控制机制可以弥补寄生电感的存在，从而减轻体二极管导通的不良影响。通过这种方法，可以调整同步整流器关断点，以保持一个恒定的死区时间，而不受当时输出负载的影响。从而持续保持高能效和对相应的热管理规定更少的要求(由于散热的减少)。
得益于专有的自适应死区时间控制算法，安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器控制器IC，能够充分解决上述挑战。同时，它可以帮助工程师最大化电源能效，并使系统尽可能紧凑、简单和具性价比。
该器件优化用于现代LLC谐振转换器拓扑结构，最大限度地减少同步整流MOSFET的体二极管传导。它通过使用一个独特的控制方法，消除了电流反向的隐患，还可以避免同步整流误触发。通过两个感测输入，可以准确地确定MOSFET两端的漏源电压，从而考虑到关于次级绕组的任何不对称或不良耦合。如果经证实死区时间太长，那么偏置电压相应降低。从而提高MOSFET的电压阈值，继而使同步整流器的导通时间延长(因此缩短相关的死区时间)。反之，如果死区时间太短，则降低MOSFET的电压阈值，从而抑制同步整流器的导通期。指定FAN6248控制器能够提高系统的电源能效，和实现在整个负载范围内的稳定运行(无电流反向的风险)。
