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汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E

SQJQ480E 以Vishay Siliconix TrenchFET 硅技术为基础,其每平方英寸使用数亿个晶体管单元,能够让器件以极高效率转换能量。

SQJQ480E MOSFET 具有小巧的尺寸以及在 10V 时低至 3.0mΩ 的低最大导通电阻,为设计人员提供了一种易于扩展的解决方案,可以让需要并联器件的应用满足高功率需求。此外,它带来了多种实用优势,使得比采用以前的器件更便宜、更可靠。例如,SQJQ480E 采用鸥翼式引线,旨在在引脚下方提供更好的焊锡流动,实现比 QFN 封装更高的板级可靠性,并支持自动光学检测(AOI)功能。它的额定工作温度高达 +175°C,可以提供汽车应用所需要的坚固性和可靠性,例如 48V 板网(board-net)电源、DC/DC 转换器、电机驱动器以及集成皮带起动发电机等。

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