相变存储器，顾名思义，是利用电脉冲诱导相变材料在高阻的非晶态与低阻的晶态之间进行可逆转变，实现信息的写入和擦除，通过电阻变化实现数据读出的一种新型存储器。能否研发出集两者优点于一身的新型存储器，成了影响电子产品升级换代的一个关键因素。相变存储器是近年来科学家研究的新型存储器之一。目前国际上仅有三星、镁光、英特尔推出了相变存储产品。
为了打破这一局面，宋志棠团队从2003年于国内率先开展相变存储器的研发。在中科院上海微系统所和中芯国际的支持下，双方共同组建研发团队，申请国家项目，搭建起8-12英寸相变存储器研发平台，并于2007年进一步建立了“纳米半导体存储技术联合实验室”，经过多年研究取得了多项重大技术进展，建立了1.6亿关键的相变存储器专用平台，实现了相变材料制备工艺与中芯国际180nm-28nm标准CMOS工艺的无缝对接，使我国的相变存储器芯片研发条件达到了国际先进水平。
我国相变存储器技术目前处于刚起步阶段，为加快推进相变存储器的产业化进程， 2012年中科院上海微系统所与行业龙头企业艾派克合作。中科院上海微系统所侧重原始创新及关键技术的基础科学问题研究，中芯国际擅长芯片集成工艺的开发，艾派克深耕市场，三方合作创新，产学研用紧密结合。
“在这种合作模式下，国产相变存储器技术势必会为我国半导体行业带来新的契机。”据艾派克副总经理丁励介绍，三方联合设计的Kb级打印机用相变存储器芯片于2016年实现产业化，供货4个多月来尚未出现任何问题。未来三方将进一步开发110-40纳米技术节点的打印机、物联网等领域相变存储器芯片，为嵌入式相变存储器技术发展和大容量相变存储器芯片应用积累更加丰富工程经验。
