IR最新小封装200V DirectFET MOSFET效率高达95%

    IR新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V至75V通用输入范围内操作的隔离式 设计DC-DC转换器。其超低的51 mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷，使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的DC-DC转换器、新一代中间总线转换器、DC马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48V变频器的同步整流。在48V通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流AC-DC转换器也可以采用新器件进行同步整流。 

    IR亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的200V DirectFET MOSFET的电流额定值达到25安培，但面积仅与0.7毫米高度的SO-8封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。一颗DirectFET MOSET就能比较两颗或三颗SO-8器件节省超过50%的空间。” 

    IR的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。IRF6641TRPbF与其他采用次级同步整流插座的增强SO-8器件相比，当每个插座所使用的增强SO-8器件的数目相同时，新的DirectFET器件的效率可提高0.4%。此外，当每个插座使用两个增强SO-8器件时，IR的新器件也能提供同样7安培的电流和满载效率。在同一项分析中，每个插座如果采用两颗IRF6641TRPbF器件的电路，MOSFET温度是最低的。 

   新器件有一个共用MZ占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。 

    新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货，其基本规格如下： 


 

IR已获专利的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷却功能，使应用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加了一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定(RoHs)。 


 
 



 
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