未来，东芝存储器株式会社将在不久的将来在其512千兆比特(64GB)等较大容量产品中应用其新的96层工艺技术和4位元(四阶存储单元，QLC)技术。
创新的96层层叠工艺结合了先进的电路和制造工艺技术，与64层层叠工艺相比，其每单元芯片尺寸存储容量增加约40%。该工艺降低了位存储价格并提高了每个硅晶片存储容量的可制造性。
S自2007年宣布推出全球首款[2]3D闪存技术原型以来，东芝存储器株式会社不断推动3D闪存的发展并积极推广BiCS FLASH?技术，以满足市场对更小裸芯片面积 、更大容量闪存的需求。
该96层BiCS FLASH?将在四日市生产基地5号晶圆厂(Fab 5)、2号新晶圆厂(Fab 2)和将于2018夏季开业的6号晶圆厂(Fab 6)生产。
注：
1. 一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构，相比平面NAND闪存(存储单元位于硅基板上)，其极大地提高了密度。
2. 数据来源：东芝存储器株式会社，截至2007年6月12日。
* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能均为其各自公司的商标。
