基于SUNFUN嵌入式NROM技术,中芯国际8GB闪存08年入市

中芯国际和SAIFUN半导体日前共同宣布将合作生产8GB数据闪存。这一基于SUNFUN嵌入式NROM技术和设计而成的产品，将有望于2008年进入市场。 
    SAIFUN嵌入式NROM每基本存储单元四位元技术突破现有的非挥发性内存技术，比常规存储器容量增加一倍，结构却更为简单，从而需要更少的制造步骤，降低了生产成本。采用中芯工艺的8GB数据闪存的发展体现了嵌入式NROM的优势，实现具成本效益的闪存制造。
    中芯现已基于SAIFUN嵌入式NROM每基本存储单元二位元技术产出第一批2GB NAND闪存产品的工程样本，计划于2006年底开始量产。