中芯携手以色列芯片开发商开发8Gb闪存

       以色列存储芯片开发商赛凡半导体（Saifun Semiconductors）与中国领先半导体制造厂商中芯国际周三联合宣布，双方将合作生产一种性价比更高的8Gb闪存芯片。 
　　据路透财经报道，两家公司称，这款独特的新产品将于2008年推出，它将采用中芯国际先进的制造工艺和赛凡的Quad NROM技术。   
  
　　赛凡董事长见首席执行官波阿斯·埃特恩（Boaz Eitan）说：“我们相信中芯国际的创新技术及专业特长与赛凡独特的NROM技术相结合，将推动我们两家公司均成为利润丰厚的数据市场的重要厂商。”赛凡的Quad NROM技术可以在一个存储单元里存放4比特信息，与当前的闪存技术相比，信息量提高了一倍。而且Quad NROM较简单的架构可以减少制造环节，因而可以降低生产成本。 
　　中芯国际现在已使用赛凡的每单元两比特技术制造出了它的2Gb NAND芯片的首个工程样品，预计该产品将在今年年底前将投入批量生产。