三星表示，三星的4Gb NAND闪存是2003年9月开发出来的，但转而采用70纳米工艺，使三星能够生产出业内尺寸最小的存储单元。
此举使三星的70纳米4Gb NAND闪存的数据写入速度可达16MB/s，比90纳米2Gb芯片提高50%，因此可以支持高清视频图像的实时数据存储。三星还宣布，新建的300mm晶圆生产线产出了第一个晶圆，比计划提前一个月。三星的Line 14初期将每月生产4,000个晶圆，到2005年底将提高到15,000个。Line 14生产70纳米4Gb NAND和90纳米2Gb NAND。
