奇梦达推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM

全球领先的创新存储产品企业奇梦达股份公司近日宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动RAM(DDR366)。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装(FBGA封装)，存储容量为512Mb, 工作电压为1.8V，符合JEDEC DDR标准。为提高系统制造商对高带宽市场需求的回应，奇梦达率先推出的183赫兹移动RAM将以其低功耗满足具有多种应用的消费类手持终端不断增长需求。

“从多媒体手机到MP3音频/视频播放器和数码相机等各类便携式终端日益普及，拉动了市场对高性能和低功耗存储解决方案的需求。”奇梦达管理委员会成员Thomas Seifert指出，“随着这些移动电子产品功能越来越丰富，相关芯片必须能够支持高性能特性，同时不会导致整体功耗大幅上升。随着首款183兆赫1.8V移动RAM的推出，奇梦达进一步巩固了自己在面向便携式终端的高速度、低功耗存储解决方案领域的领先地位。”

这款全新高速移动RAM的数据传输速率为366兆比特/秒，比标准DDR266 DRAM快30%。在系统设计不改变的前提下，该性能记录是采用常规BGA封装方式实现的。作为移动RAM市场的领导者，奇梦达与主要的客户和领先处理器厂商密切合作，确保2007年推出的系统平台的互通性。

这款移动RAM不但具备电池供电设备所需的超低功耗，而且采用了适用于板卡空限受限产品的极其紧凑的芯片级封装。立足于自身的节电型沟道技术，以及电源管理特性，例如TCSR(温度补偿自刷新)、PASR(部分阵列自刷新)、OTCS(片上温度传感器)和DPD(深度省电)模式，奇梦达在最新推出的移动RAM上实现了工作电流最小化，从而延长了电池工作时间。

奇梦达正在供应存储密度高达512Mb、工作电压为2.5V和1.8V、速率为183兆赫的SDR和DDR移动RAM。183兆赫DDR366移动RAM的设计样品现已供货，其存储密度为512Mb，电源电压为1.8V，采用60球FBGA封装。