此款FRAM非易失性内存在运作温度范围内能保证10兆次读 / 写次数，并支持实时记录像驾驶数据或定位数据等，这类需要持续且频繁的数据记录。由于该内存属于非易失性，并且具有高速写入特点，即使遇到突然断电的状况，写入的数据也能完整保留不会遗失。因此，这款产品适用于需在高温环境下运作的应用，像是具有会产生大量热能的引擎或马达的汽车设备与工业机器人。
富士通电子在过去约20年量产各种FRAM非易失性内存产品，具备比EEPROM及闪存更高的读∕写耐久性、高速写入速度及超低功耗。近几年来，这些产品被广泛应用于可穿戴装置、工业机器人与无人机。
图一：MB85RS2MTY封装
这款拥有2Mbit密度的产品采用SPI接口，支持从1.8v至3.6v的宽电压范围，且运作耐热度可高达摄氏125度；即使在这样的高温环境也能保证10兆次的读∕写次数，相当于EEPROM的一千万倍；最高运作频率则达到50 MHz，比现有产品快1.5倍。此外，这些产品的可靠性测试符合AEC-Q100 Grade 1标准，达到被称为“汽车级”产品的认证标准。
此款FRAM采用业界标准8-pin SOP封装，使其能轻松取代现有类似脚位的EEPROM产品。此外，也提供拥有8-pin DFN（Dual Flatpack Non-leaded）的封装。
图二：适合MB85RS2MTY的应用
富士通电子持续为IC卡、工业机械与消费性装置提供数据写入效能高于EEPROM的FRAM产品。能在最高摄氏125度环境下运作的FRAM产品自2017年起就已经量产，因此这类FRAM逐渐被广泛应用在需要在高温下维持运作与高可靠性的汽车及工业机械市场。此次富士通电子研发并推出最大容量的2 Mbit产品，借此强化可运作于高达125度的FRAM产品阵容。
富士通电子将持续提供各种FRAM产品与解决方案，协助客户提升各类应用的价值与便利性。
图三：MB85RS2MTY的主要特色
关键规格
● 组件型号：MB85RS2MTY
● 容量（组态）：2 Mbit（256K x 8位）
● 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
● 运作频率：最高50 MHz
● 运作电压：1.8伏特 - 3.6伏特
● 运作温度范围：摄氏零下40度 - 摄氏125度
● 读∕写耐用度：10兆次 (1013次)
● 封装规格：8-pin SOP与8-pin DFN
● 认证标准：符合AEC-Q100 Grade 1
词汇与备注
*注一：铁电随机存取内存（FRAM）
FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM，亦称为FeRAM。
相关链接：
● 富士通电子网站
● FRAM产品系列网站
● MB85RS2MTY简介网站
