据台湾《经济日报》，台积电将于 8 月 30 日在新竹举行技术论坛，将披露最新技术进展和客户成果，外界高度关注台积电是否会释放更多 2nm 制程的消息。
值得一提的是，台积电今年 6 月在北美的技术论坛上首度推出采用纳米片电晶体架构的 2nm 制程，预计 2025 年开始量产。
从台积电之前给出的数据来看，N2 是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，而非现在的 FinFET（鳍式场效应晶体管）。
新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。在相同功耗下，N2 比 N3E 速度快 10~15%；相同速度下，功耗降低 25~30%。不过，与 N3E 相比，N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右。
IT之家了解到，台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoC、高性能 CPU 和 GPU。具体表现如何，还需要等到后续测试出炉才能得知。
