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美光宣布全球首款 232 层 TLC NAND 芯片出货

          7 月 26 日消息,今天,美光公司宣布已开始量产全球首款 232 层 NAND,与前几代美光 NAND 相比,它具有业界最高的面密度,并提供更高的容量和更高的能效。

美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光的 232 层 NAND 是存储创新的分水岭,首次证明了将 3D NAND 扩展到 200 层以上的生产能力。”

官方表示,美光的 232 层 NAND 技术实现业界最快的 NAND I / O 速度:每秒 2.4 GB,比美光 176 层 NAND 快 50%。美光的 232 层 NAND 实现了有史以来最高的每平方毫米 TLC 密度:14.6 Gb/mm2 。232 层 NAND 采用新的 11.5 毫米 x 13.5 毫米封装发货,其封装尺寸比美光前几代产品小 28%。美光 232L TLC NAND 被称为 B58R,单 Die 容量 1Tb,可以以 16*Die 封装实现单芯片封装内 2TB 的容量。

了解到,美光的 232 层 NAND 现已在该公司的新加坡工厂量产,最初将以组件形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

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