MOSFET，它是一种可以常使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路。确定MOSFET的主要特性是其漏源电压VDS，或“漏源击穿电压”，这是在栅很短路到源极，漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的确保不损坏的高电压。VDS也被称为“25℃下的绝 对 高电压”，但是定要记住，这个绝 对电压与温度有关，而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。在高温下，温度系数会显著改变击穿电压。对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。
总的来说：
1、MOSFET串联等效的栅极和源极电阻的分压作用和栅极电容的影响，造成晶胞单元的VGS的电压不一致，从而导致各个晶胞单元电流不一致，在开通和关断的过程中形成局部过热损坏。
2、快开通和关断MOSFET，可以减小局部能量的聚集，防晶胞单元局部的过热而损坏。开通速度太慢，距离栅极管脚较近的区域局部容易产生局部过热损坏，关断速度太慢，距离栅极管脚较远的区域容易产生局部过热损坏。
3、MOSFET在开通的过程中，RDS（ON）从负温度系数区域向正温度系数区域转化；在其关断的过程中，RDS（ON）从正温度系数区域向负温度系数区域过渡。
