总投资超18亿元，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地开工

1月4日，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地在园区开工建设。

据悉，该基地首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米，总投资超18亿元，带动投资预计超50亿元，计划2023年12月底竣工。作为园区打造第三代半导体产业集群和创新高地的重大基础设施，该基地建成后，将与园区微纳制造（MEMS）中试平台形成紧密联动，实现第三代半导体技术与微纳制造等两大细分领域相互促进的发展态势。

项目建成后将加速推动第三代半导体材料、设备，及研发、设计、中试、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，辐射集聚50到100家企业，有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。