2月21日消息，日本半导体制造商铠侠（Kioxia，原东芝存储器）研发出了约170层存储单元堆叠的NAND型闪存技术，达到世界最先进水平。读写速度是现有112层产品的两倍以上。在5G不断普及的背景下，铠侠认为高速、大容量的数据交换将增加，计划开拓数据中心和智能手机的需求。
该技术由铠侠与美国西部数据（WD）共同开发，将在“国际固态电路会议（ISSCC）”上发布。将于2021年内投产，预计最早于2022年量产。
铠侠的竞争对手美国美光科技和韩国SK海力士已宣布开发出176层产品。围绕最尖端产品的开发竞争越来越激烈。
