长江存储欲扩产一倍 国产替代进程持续推进

1月13日消息，据媒体报道，长江存储计划今年把产量提高一倍，计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10万片晶圆，并准备试产192层NAND快闪记忆体晶片，最快将于2021年中试产，不过该试产计划可能会推迟至2021下半年。

市场一流供应商目前仍在开发176层3D NAND晶片，而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。

此前4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。